SILICON POWER μνήμη RAM DDR3, 1600MHz PC3-12800, 1.5V, 4GB
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
SILICON POWER Μνήμη DDR3 SODimm, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
SILICON POWER Μνήμη DDR3L SODimm , 4GB, 1600MHz, PC3L-12800, CL11, 1.35v
Προσωρινά μη διαθέσιμο
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Capacity: 4GB
Chip Density: 512Mx8 8Chips
Frequency(Speed):1600
Bandwidth: PC3L 12800
CAS Latency: 11
Voltage: 1.35V
Pins: 204-PIN
GOODRAM so-dimm μνήμη τύπου DDR2, 1GB , 800
Προσωρινά μη διαθέσιμο
GOODRAM Μνήμη DDR2 SODIMM GR800S264L6-1G, 1GB, 800MHz PC2-6400, CL6
Οι μνήμες Goodram αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Μέγεθος Μνήμης: 1GB
Τεχνολογία: DIMM DDR2
Supply Voltage: 1.5V
Organisation: 64x8
Bandwidth: PC2-6400
Ταχύτητα διαύλου: 800MHz
CAS Latency: 6
SILICON POWER μνήμη DDR3L UDIMM SP004GLLTU160N02, 4GB, 1600MHz, CL11
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το badwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 4GB
Τεχνολογία: DIMM DDR3L
Voltage: 1.35V
Organisation: 8x 512
Bandwidth: PC3L-12800
Ταχύτητα: 1600MHz
CAS Latency: CL11
SILICON POWER μνήμη RAM 8GB DDR3, 1600MHz PC3-12800, 1.5V
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
SILICON POWER Μνήμη 8GB DDR3L SODimm, PC3L 12800, 1600MHz, CL11, 1.35v
Προσωρινά μη διαθέσιμο
SILICON POWER μνήμη DDR3L UDIMM SP008GLLTU160N02, 8GB, 1600MHz, CL11
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το badwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
χωρητικότητα: 8GB
τεχνολογία: DIMM DDR3L
voltage: 1.35V
organisation: 8x 512
bandwidth: PC3L-12800
ταχύτητα: 1600MHz
CAS Latency: CL11
SILICON POWER Μνήμη RAM DDR3 SODimm, 8GB, 1600MHz, CL11
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
NETAC μνήμη DDR3L SODIMM NTBSD3N16SP-04, 4GB, 1600MHz, CL11
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 4GB
Τεχνολογία: SO-DIMM DDR3L
Voltage: 1.35V
Form factor: 204-Pin DDR3
Bandwidth: PC3L-12800
Ταχύτητα: 1600MHz
CAS Latency: CL11
Timing: 11-11-11-28
NETAC μνήμη DDR3 UDIMM NTBSD3P16SP-04, 4GB, 1600MHz, CL11
Προσωρινά μη διαθέσιμο
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 4GB
Τεχνολογία: U-DIMM DDR3
Voltage: 1.5V
Form factor: 240-Pin DDR3
Bandwidth: PC3-12800
Ταχύτητα: 1600MHz
CAS Latency: CL11
Timing: 11-11-11-28
GOODRAM Μνήμη DDR3 SODIMM GR1600S364L11-8G, 8GB, 1600MHz PC3-12800, CL11
Προσωρινά μη διαθέσιμο
NETAC μνήμη DDR3L SODIMM NTBSD3N16SP-08, 8GB, 1600MHz, CL11
Προσωρινά μη διαθέσιμο
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: SO-DIMM DDR3L
Voltage: 1.35V
Form factor: 204-Pin DDR3
Bandwidth: PC3L-12800
Ταχύτητα: 1600MHz
CAS Latency: CL11
Timing: 11-11-11-28
NETAC μνήμη DDR3 UDIMM NTBSD3P16SP-08, 8GB, 1600MHz, CL11
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: U-DIMM DDR3
Voltage: 1.5V
Form factor: 240-Pin DDR3
Bandwidth: PC3-12800
Ταχύτητα: 1600MHz
CAS Latency: CL11
Timing: 11-11-11-28
SILICON POWER μνήμη DDR4 SODimm SP008GBSFU320X02, 8GB, 3200MHz, CL22
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το badwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form Factor: 260Pin SODIMM non-ECC
Bandwidth: PC4-25600
Ταχύτητα: 3200MHz
CAS Latency: CL22
SILICON POWER μνήμη DDR4 UDIMM SP008GBLFU266X02, 8GB, 2666MHz, CL19
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form Factor: 288Pin UDIMM non-ECC
Bandwidth: PC4-21300
Ταχύτητα: 2666MHz
CAS Latency: CL19
NETAC μνήμη DDR4 UDIMM NTBSD4P26SP-08, 8GB, 2666MHz, CL19
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: U-DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form factor: 288-Pin DDR4
Bandwidth: PC4-21300
Ταχύτητα: 2666MHz
CAS Latency: CL19
Timing: 19-19-19-43
NETAC μνήμη DDR4 SODIMM NTBSD4N26SP-08, 8GB, 2666MHz, CL19
Προσωρινά μη διαθέσιμο
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: SO-DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form factor: 260-Pin DDR4
Bandwidth: PC4-21300
Ταχύτητα: 2666MHz
CAS Latency: CL19
Timing: 19-19-19-43
NETAC μνήμη DDR4 UDIMM NTBSD4P32SP-08, 8GB, 3200MHz, C16
Προσωρινά μη διαθέσιμο
Οι μνήμες της σειράς Basic από την Netac αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: U-DIMM DDR4
Voltage: 1.35V
Form factor: 288-Pin UDIMM
Bandwidth: PC4-25600
Ταχύτητα: 3200MHz
CAS Latency: C16
Timing: 16-20-20-40
SILICON POWER μνήμη DDR4 SODimm SP008GBSFU266X02, 8GB, 2666MHz, CL19
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB
Τεχνολογία: DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form Factor: 260Pin SODIMM non-ECC
Bandwidth: PC4-21300
Ταχύτητα: 2666MHz
CAS Latency: CL19
SILICON POWER μνήμη DDR4 UDIMM XPOWER Zenith, 8GB, RGB, 3200MHz, CL16
Προσωρινά μη διαθέσιμο
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
-RGB φωτισμός
-υποστήριξη ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync & ASROCK-Polychrome Sync
-Intel Extreme Memory Profile (Intel XMP) Standards
-10-layer PCBs
-aluminum heat spreader για ταχύτατη απαγωγή θερμότητας
-1.35V Low voltage
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 8GB x1
Τεχνολογία: DIMM DDR4
Voltage: 1.35V
Form Factor: UDIMM non-ECC
Dimensios: 133.4mm x 38.5mm x 8.0mm
Ταχύτητα: 3200MHz
CAS Latency: CL16
SILICON POWER μνήμη DDR4 UDIMM SP016GBLFU266X02, 16GB, 2666MHz, CL19
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το badwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 16GB
Τεχνολογία: DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form Factor: 288Pin UDIMM non-ECC
Bandwidth: PC4-21300
Ταχύτητα: 2666MHz
CAS Latency: CL19
SILICON POWER μνήμη DDR4 SODimm SP016GBSFU266X02, 16GB, 2666MHz, CL19
Διαθέσιμο σε 4 εως 10 ημέρες
Οι μνήμες Silicon Power αποτελούν προϊόντα τεχνολογικής αιχμής, κατασκευάζονται με τις πλέον σύγχρονες μεθόδους και τα αυστηρότερα ποιοτικά standards και ανήκουν στα απαραίτητα εξαρτήματα για την λειτουργία του υπολογιστή. Η τεχνολογία, το μέγεθος και το bandwidth τους καθορίζουν σε σημαντικό βαθμό τις επιδόσεις του υπολογιστή.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Χωρητικότητα: 16GB
Τεχνολογία: DIMM DDR4
Voltage: 1.2V
Form Factor: 260Pin SODIMM non-ECC
Bandwidth: PC4-21300
Ταχύτητα: 2666MHz
CAS Latency: CL19
GOODRAM Μνήμη DDR4 UDIMM, 16GB, 2666MHz, PC4-21300, CL19
Προσωρινά μη διαθέσιμο